■対称動作型出力　電圧ゲイン０ｄＢ　ＭＯＳ-FETパワーアンプ　２０１７年１０月

本機はあらたに開発した対称動作型出力を採用した電圧ゲイン０ｄＢのＭＯＳ－ＦＥＴパワーアンプである。従来のコンプリメンタリ出力段に替え、カレントミラー回路を用いた対称動作型出力段としている。コンプリメンタリＭＯＳ－ＦＥＴを単段エミッタフォロワとして用いた場合に比べ、出力段のｇｍを大幅に高め、きわめて良好な対称動作のＳＥＰP出力段となっている。その結果、とかく歪が大きいといわれがちなＭＯＳ－ＦＥＴパワーアンプにもかかわらず、低歪率、高ダンピングファクタを得ている。中低域がしまり、刺激的でない高域をともなったナチュラルな音質に仕上がっている。